Please use this identifier to cite or link to this item: https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:hbz:467-1336
Files in This Item:
File Description SizeFormat
hausmann.pdf58,06 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
abst_ger.pdf74,35 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Dokument Type: Doctoral Thesis
Title: Development of a low noise integrated readout electronic for pixel detectors in CMOS technology for a Compton camera
Authors: Hausmann, Joachim 
Institute: Fachbereich 7, Physik 
Free keywords: Halbleiterdetektor ,, Compton-scattering, high energy physics
Dewey Decimal Classification: 530 Physik
GHBS-Clases: UIGD
Issue Date: 2002
Publish Date: 2006
Abstract: 
Semiconductor detectors are very popular, particularly for their
good energy resolution and their easy handling. Combined with a two
dimensional spatial resolution such a detector is predestined to realise an
active collimation in a Compton camera for medical applications. To
measure the deposited energy in each channel (pixel), a self-triggering
integrated electronic has been developed, which is directly bonded on top
of the detector. The design of the low noise readout electronic ('Ramses')
for a 32 x 32 matrix of 150 µm x 150 µm pixels, the layout and measurements
are presented. Closest attention is paid to silicon detectors, which
are favoured for Compton scattering with regard to Doppler effect.
Nevertheless the electronic chip is also designed to measure the energy deposited
by photo absorption in a detector material with higher atomic numbers (GaAs, CdTe).

Halbleiterdetektoren sind weit verbreitet, insbesondere auf Grund ihrer hervorragenden Energieauflosung und einfachen Handhabbarkeit. Gepaart mit einer zweidimensionalen Ortsauflosung sind sie insbesondere prädestiniert, eine aktive Kollimation, wie beispielsweise innerhalb einer Compton-Kamera zur medizinischen Diagnostik, zu implementieren. Um die Energieinformation eines jeden Kanals (Pixels) zu gewinnen, ist eine selbsttriggernde, integrierte Elektronik entwickelt worden, die direkt auf den Detektor aufgebracht wird. Im folgenden werden sowohl die Konzepte der r auscharmen a nalogen Pixel m atrix- S ignalverarbeitungs e lektronik aus S iegen ('Ramses') für eine 32 x 32 Matrix, basierend auf 150 μm x 150 μm großen Pixeln, als auch deren layout-technische Umsetzung sowie Messungen präsentiert. Das Hauptaugenmerk richtet sich dabei auf Siliziumdetektoren, die hinsichtlich des Doppler-Effektes das Material der Wahl für den Comptoneffekt darstellen. Der gleiche Elektronikchip ist auch geeignet, die Energie bei Photoabsorption in Detektormaterialien mit hoherer Kernladungszahl (GaAs, CdTe) zu bestimmen.
URN: urn:nbn:de:hbz:467-1336
URI: https://dspace.ub.uni-siegen.de/handle/ubsi/133
License: https://dspace.ub.uni-siegen.de/static/license.txt
Appears in Collections:Hochschulschriften

This item is protected by original copyright

Show full item record

Page view(s)

59
checked on Nov 24, 2020

Download(s)

16
checked on Nov 24, 2020

Google ScholarTM

Check


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.